Tulkot latviski
Transistor: N-JFET | unipolar | 25V | 30mA | 0.225W | SOT23 | Igt: 10mA
Transistor: N-JFET | unipolar | 25V | 30mA | 0.225W | SOT23 | Igt: 10mA
EB Kods: EB1737507259
Ražotāja preces kods: MMBFJ309LT1G
Ražotāja preces kods:
MMBFJ309LT1G
Ražotājs, zīmols: ONSEMI
Ražotājs, zīmols:
ONSEMI
0,47 €
Ar PVN / gb
Pieejams piegādātāja noliktavā >10 gab.
⛟ Piegāde 1-3 darba dienas pēc apmaksas.
⛟ Piegāde 1-3 darba dienas pēc apmaksas.
Type of transistor | N-JFET |
Polarisation | unipolar |
Drain-source voltage | 25V |
Drain current | 30mA |
Power dissipation | 0.225W |
Case | SOT23 |
Gate-source voltage | 25V |
Mounting | SMD |
Kind of package | reel |
Kind of package | tape |
Gate current | 10mA |