Tulkot latviski
Transistor: IGBT | BiMOSFET™ | 1.7kV | 10A | 150W | TO268
Transistor: IGBT | BiMOSFET™ | 1.7kV | 10A | 150W | TO268
EB Kodas: EB1238034084
Gamintojo prekės kodas: IXBT16N170A
Gamintojo prekės kodas:
IXBT16N170A
Gamintojas, prekės ženklas: IXYS
Gamintojas, prekės ženklas:
IXYS
19,65 €
PVM įskaičiuotas / gb
Tiekėjo sandėlyje 9 vnt
⛟ Pristatymas 1-3 darbo dienos po apmokėjimo.
⛟ Pristatymas 1-3 darbo dienos po apmokėjimo.
Type of transistor | IGBT |
Technology | BiMOSFET™ |
Collector-emitter voltage | 1.7kV |
Collector current | 10A |
Power dissipation | 150W |
Case | TO268 |
Gate-emitter voltage | ±20V |
Pulsed collector current | 40A |
Mounting | SMD |
Gate charge | 65nC |
Kind of package | tube |
Turn-on time | 43ns |
Turn-off time | 370ns |
Features of semiconductor devices | high voltage |