Tulkot latviski
Transistor: IGBT | BiMOSFET™ | 1.7kV | 10A | 150W | TO268
Transistor: IGBT | BiMOSFET™ | 1.7kV | 10A | 150W | TO268
EB Kood: EB1238034084
Tootja kauba kood: IXBT16N170A
Tootja kauba kood:
IXBT16N170A
Tootja, kaubamärk: IXYS
Tootja, kaubamärk:
IXYS
19,65 €
Sisaldab käibemaksu / gb
Saadaval tarnija laos 9 tk
⛟ Tarne 1-3 tööpäeva jooksul pärast makse sooritamist.
⛟ Tarne 1-3 tööpäeva jooksul pärast makse sooritamist.
Type of transistor | IGBT |
Technology | BiMOSFET™ |
Collector-emitter voltage | 1.7kV |
Collector current | 10A |
Power dissipation | 150W |
Case | TO268 |
Gate-emitter voltage | ±20V |
Pulsed collector current | 40A |
Mounting | SMD |
Gate charge | 65nC |
Kind of package | tube |
Turn-on time | 43ns |
Turn-off time | 370ns |
Features of semiconductor devices | high voltage |