Tulkot latviski
Transistor: IGBT | BiMOSFET™ | 1.7kV | 10A | 140W | TO268
Transistor: IGBT | BiMOSFET™ | 1.7kV | 10A | 140W | TO268
EB Kodas: EB1052532185
Gamintojo prekės kodas: IXBT10N170
Gamintojo prekės kodas:
IXBT10N170
Gamintojas, prekės ženklas: IXYS
Gamintojas, prekės ženklas:
IXYS
14,66 €
PVM įskaičiuotas / gb
Tiekėjo sandėlyje >10 vnt
⛟ Pristatymas 1-3 darbo dienos po apmokėjimo.
⛟ Pristatymas 1-3 darbo dienos po apmokėjimo.
Type of transistor | IGBT |
Technology | BiMOSFET™ |
Collector-emitter voltage | 1.7kV |
Collector current | 10A |
Power dissipation | 140W |
Case | TO268 |
Gate-emitter voltage | ±20V |
Pulsed collector current | 40A |
Mounting | SMD |
Gate charge | 30nC |
Kind of package | tube |
Turn-on time | 63ns |
Turn-off time | 1.8µs |
Features of semiconductor devices | high voltage |