Tulkot latviski
Transistor: N-MOSFET x2 | unipolar | 60V | 4.5A | Idm: 18A | 2W | SOP8 | ESD
Transistor: N-MOSFET x2 | unipolar | 60V | 4.5A | Idm: 18A | 2W | SOP8 | ESD
EB Kodas: EB308172403
Gamintojo prekės kodas: SP8K32HZGTB
Gamintojo prekės kodas:
SP8K32HZGTB
Gamintojas, prekės ženklas: ROHM SEMICONDUCTOR
Gamintojas, prekės ženklas:
ROHM SEMICONDUCTOR
2,05 €
PVM įskaičiuotas / gb
Tiekėjo sandėlyje >10 vnt
⛟ Pristatymas 1-3 darbo dienos po apmokėjimo.
⛟ Pristatymas 1-3 darbo dienos po apmokėjimo.
Type of transistor | N-MOSFET x2 |
Polarisation | unipolar |
Drain-source voltage | 60V |
Drain current | 4.5A |
Pulsed drain current | 18A |
Power dissipation | 2W |
Case | SOP8 |
Gate-source voltage | ±20V |
On-state resistance | 77mΩ |
Mounting | SMD |
Gate charge | 7nC |
Kind of package | reel |
Kind of package | tape |
Kind of channel | enhanced |
Version | ESD |