Tulkot latviski
Transistor: N-MOSFET x2 | unipolar | 30V | 0.17A | Idm: 0.8A | 0.4W | ESD
Transistor: N-MOSFET x2 | unipolar | 30V | 0.17A | Idm: 0.8A | 0.4W | ESD
EB Kodas: EB548881478
Gamintojo prekės kodas: DMN63D8LDW-7
Gamintojo prekės kodas:
DMN63D8LDW-7
Gamintojas, prekės ženklas: DIODES INCORPORATED
Gamintojas, prekės ženklas:
DIODES INCORPORATED
0,35 €
PVM įskaičiuotas / gb
Tiekėjo sandėlyje >10 vnt
⛟ Pristatymas 1-3 darbo dienos po apmokėjimo.
⛟ Pristatymas 1-3 darbo dienos po apmokėjimo.
Type of transistor | N-MOSFET x2 |
Polarisation | unipolar |
Drain-source voltage | 30V |
Drain current | 0.17A |
Pulsed drain current | 0.8A |
Power dissipation | 0.4W |
Case | SOT363 |
Gate-source voltage | ±20V |
On-state resistance | 4.5Ω |
Mounting | SMD |
Kind of package | reel |
Kind of package | tape |
Kind of channel | enhanced |
Version | ESD |