Tulkot latviski

Transistor: N-MOSFET x2 | unipolar | 30V | 0.17A | Idm: 0.8A | 0.4W | ESD

EB Koodi: EB548881478

Valmistajan tuotekoodi: 
DMN63D8LDW-7

Valmistaja, merkki: 
DIODES INCORPORATED

 0,35 € 
Sisältää arvonlisäveron / gb
Toimittajan varastossa >10 kpl
⛟ Toimitus 1-3 työpäivää maksun jälkeen. 
On kysymys?
-+

Product Properties

Type of transistorN-MOSFET x2
Polarisationunipolar
Drain-source voltage30V
Drain current0.17A
Pulsed drain current0.8A
Power dissipation0.4W
CaseSOT363
Gate-source voltage±20V
On-state resistance4.5Ω
MountingSMD
Kind of packagereel
Kind of packagetape
Kind of channelenhanced
VersionESD