Tulkot latviski
Transistor: N-MOSFET x2 | unipolar | 25V | 500mA | Idm: 1.3A | 0.3W
Transistor: N-MOSFET x2 | unipolar | 25V | 500mA | Idm: 1.3A | 0.3W
EB Kodas: EB1730253545
Gamintojo prekės kodas: FDG6303N
Gamintojo prekės kodas:
FDG6303N
Gamintojas, prekės ženklas: ONSEMI
Gamintojas, prekės ženklas:
ONSEMI
0,53 €
PVM įskaičiuotas / gb
Tiekėjo sandėlyje >10 vnt
⛟ Pristatymas 1-3 darbo dienos po apmokėjimo.
⛟ Pristatymas 1-3 darbo dienos po apmokėjimo.
Type of transistor | N-MOSFET x2 |
Technology | DMOS |
Polarisation | unipolar |
Drain-source voltage | 25V |
Drain current | 0.5A |
Pulsed drain current | 1.3A |
Power dissipation | 0.3W |
Case | SC70-6 |
Case | SC88 |
Case | SOT363 |
On-state resistance | 770mΩ |
Mounting | SMD |
Gate charge | 2.3nC |
Kind of package | reel |
Kind of package | tape |
Kind of channel | enhanced |
Features of semiconductor devices | logic level |