Tulkot latviski
Transistor: N-MOSFET x2 | unipolar | 24V | 11A | Idm: 60A | 1.4W | ECH8
Transistor: N-MOSFET x2 | unipolar | 24V | 11A | Idm: 60A | 1.4W | ECH8
EB Kodas: EB934177190
Gamintojo prekės kodas: ECH8695R-TL-W
Gamintojo prekės kodas:
ECH8695R-TL-W
Gamintojas, prekės ženklas: ONSEMI
Gamintojas, prekės ženklas:
ONSEMI
0,82 €
PVM įskaičiuotas / gb
Tiekėjo sandėlyje >10 vnt
⛟ Pristatymas 1-3 darbo dienos po apmokėjimo.
⛟ Pristatymas 1-3 darbo dienos po apmokėjimo.
Type of transistor | N-MOSFET x2 |
Polarisation | unipolar |
Drain-source voltage | 24V |
Drain current | 11A |
Pulsed drain current | 60A |
Power dissipation | 1.4W |
Case | ECH8 |
Gate-source voltage | ±12.5V |
On-state resistance | 9.1mΩ |
Mounting | SMD |
Gate charge | 10nC |
Kind of package | reel |
Kind of package | tape |
Kind of channel | enhanced |
Semiconductor structure | common drain |
Features of semiconductor devices | ESD protected gate |
Application | charging control |