Tulkot latviski
Transistor: IGBT | 650V | 60A | 300W | TO3P
Transistor: IGBT | 650V | 60A | 300W | TO3P
EB Kods: EB777017376
Ražotāja preces kods: FGA60N65SMD
Ražotāja preces kods:
FGA60N65SMD
Ražotājs, zīmols: ONSEMI
Ražotājs, zīmols:
ONSEMI
9,73 €
Ar PVN / gb
Pieejams piegādātāja noliktavā >10 gab.
⛟ Piegāde 1-3 darba dienas pēc apmaksas.
⛟ Piegāde 1-3 darba dienas pēc apmaksas.
| Type of transistor | IGBT |
| Collector-emitter voltage | 650V |
| Collector current | 60A |
| Power dissipation | 300W |
| Case | TO3PN |
| Gate-emitter voltage | ±20V |
| Pulsed collector current | 180A |
| Mounting | THT |
| Gate charge | 284nC |
| Kind of package | tube |
| Features of semiconductor devices | integrated anti-parallel diode |