Tulkot latviski
Transistor: IGBT | 650V | 60A | 300W | TO3P
Transistor: IGBT | 650V | 60A | 300W | TO3P
EB Kood: EB777017376
Tootja kauba kood: FGA60N65SMD
Tootja kauba kood:
FGA60N65SMD
Tootja, kaubamärk: ONSEMI
Tootja, kaubamärk:
ONSEMI
9,73 €
Sisaldab käibemaksu / gb
Saadaval tarnija laos >10 tk
⛟ Tarne 1-3 tööpäeva jooksul pärast makse sooritamist.
⛟ Tarne 1-3 tööpäeva jooksul pärast makse sooritamist.
Type of transistor | IGBT |
Collector-emitter voltage | 650V |
Collector current | 60A |
Power dissipation | 300W |
Case | TO3PN |
Gate-emitter voltage | ±20V |
Pulsed collector current | 180A |
Mounting | THT |
Gate charge | 284nC |
Kind of package | tube |
Features of semiconductor devices | integrated anti-parallel diode |