Tulkot latviski
Transistor: IGBT | BiMOSFET™ | 2.5kV | 2A | 32W | TO268
Transistor: IGBT | BiMOSFET™ | 2.5kV | 2A | 32W | TO268
EB Kods: EB2073487085
Ražotāja preces kods: IXBT2N250
Ražotāja preces kods:
IXBT2N250
Ražotājs, zīmols: IXYS
Ražotājs, zīmols:
IXYS
26,37 €
Ar PVN / gb
Pieejams piegādātāja noliktavā 8 gab.
⛟ Piegāde 1-3 darba dienas pēc apmaksas.
⛟ Piegāde 1-3 darba dienas pēc apmaksas.
| Type of transistor | IGBT |
| Technology | BiMOSFET™ |
| Collector-emitter voltage | 2.5kV |
| Collector current | 2A |
| Power dissipation | 32W |
| Case | TO268 |
| Gate-emitter voltage | ±20V |
| Pulsed collector current | 13A |
| Mounting | SMD |
| Gate charge | 10.6nC |
| Kind of package | tube |
| Turn-on time | 310ns |
| Turn-off time | 252ns |
| Features of semiconductor devices | high voltage |