Tulkot latviski
Transistor: IGBT | BiMOSFET™ | 2.5kV | 2A | 32W | TO268
Transistor: IGBT | BiMOSFET™ | 2.5kV | 2A | 32W | TO268
EB Koodi: EB2073487085
Valmistajan tuotekoodi: IXBT2N250
Valmistajan tuotekoodi:
IXBT2N250
Valmistaja, merkki: IXYS
Valmistaja, merkki:
IXYS
26,37 €
Sisältää arvonlisäveron / gb
Toimittajan varastossa 8 kpl
⛟ Toimitus 1-3 työpäivää maksun jälkeen.
⛟ Toimitus 1-3 työpäivää maksun jälkeen.
Type of transistor | IGBT |
Technology | BiMOSFET™ |
Collector-emitter voltage | 2.5kV |
Collector current | 2A |
Power dissipation | 32W |
Case | TO268 |
Gate-emitter voltage | ±20V |
Pulsed collector current | 13A |
Mounting | SMD |
Gate charge | 10.6nC |
Kind of package | tube |
Turn-on time | 310ns |
Turn-off time | 252ns |
Features of semiconductor devices | high voltage |