Tulkot latviski

Transistor: P-MOSFET | unipolar | -30V | -39A | Idm: -48A | 20W | HSMT8

EB Kods: EB171761589

Ražotāja preces kods: 
RQ3E120ATTB

Ražotājs, zīmols: 
ROHM SEMICONDUCTOR

 1,72 € 
Ar PVN / gb
Pieejams piegādātāja noliktavā >10 gab.
⛟ Piegāde 1-3 darba dienas pēc apmaksas. 
Uzdot jautājumu
-+

Product Properties

Type of transistorP-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage-30V
Drain current-39A
Pulsed drain current-48A
Power dissipation20W
CaseHSMT8
Gate-source voltage±20V
On-state resistance11.3mΩ
MountingSMD
Gate charge62nC
Kind of packagereel
Kind of packagetape
Kind of channelenhancement