Tulkot latviski
Transistor: P-MOSFET | unipolar | -30V | -39A | Idm: -48A | 20W | HSMT8
Transistor: P-MOSFET | unipolar | -30V | -39A | Idm: -48A | 20W | HSMT8
EB Koodi: EB171761589
Valmistajan tuotekoodi: RQ3E120ATTB
Valmistajan tuotekoodi:
RQ3E120ATTB
Valmistaja, merkki: ROHM SEMICONDUCTOR
Valmistaja, merkki:
ROHM SEMICONDUCTOR
1,73 €
Sisältää arvonlisäveron / gb
Toimittajan varastossa >10 kpl
⛟ Toimitus 1-3 työpäivää maksun jälkeen.
⛟ Toimitus 1-3 työpäivää maksun jälkeen.
Type of transistor | P-MOSFET |
Polarisation | unipolar |
Drain-source voltage | -30V |
Drain current | -39A |
Pulsed drain current | -48A |
Power dissipation | 20W |
Case | HSMT8 |
Gate-source voltage | ±20V |
On-state resistance | 11.3mΩ |
Mounting | SMD |
Gate charge | 62nC |
Kind of package | reel |
Kind of package | tape |
Kind of channel | enhancement |