Tulkot latviski
Transistor: P-MOSFET | unipolar | -30V | -2.9A | Idm: -11.6A | 1.25W
Transistor: P-MOSFET | unipolar | -30V | -2.9A | Idm: -11.6A | 1.25W
EB Kods: EB790612635
Ražotāja preces kods: PJA3409_R1_00001
Ražotāja preces kods:
PJA3409_R1_00001
Ražotājs, zīmols: PanJit Semiconductor
Ražotājs, zīmols:
PanJit Semiconductor
0,28 €
Ar PVN / gb
Pieejams piegādātāja noliktavā >10 gab.
⛟ Piegāde 1-3 darba dienas pēc apmaksas.
⛟ Piegāde 1-3 darba dienas pēc apmaksas.
Type of transistor | P-MOSFET |
Polarisation | unipolar |
Drain-source voltage | -30V |
Drain current | -2.9A |
Pulsed drain current | -11.6A |
Power dissipation | 1.25W |
Case | SOT23 |
Gate-source voltage | ±20V |
On-state resistance | 0.15Ω |
Mounting | SMD |
Gate charge | 9.8nC |
Kind of package | reel |
Kind of package | tape |
Kind of channel | enhanced |