Tulkot latviski
Transistor: P-MOSFET | unipolar | -30V | -2.9A | Idm: -11.6A | 1.25W
Transistor: P-MOSFET | unipolar | -30V | -2.9A | Idm: -11.6A | 1.25W
EB Koodi: EB790612635
Valmistajan tuotekoodi: PJA3409_R1_00001
Valmistajan tuotekoodi:
PJA3409_R1_00001
Valmistaja, merkki: PanJit Semiconductor
Valmistaja, merkki:
PanJit Semiconductor
0,29 €
Sisältää arvonlisäveron / gb
Toimittajan varastossa >10 kpl
⛟ Toimitus 1-3 työpäivää maksun jälkeen.
⛟ Toimitus 1-3 työpäivää maksun jälkeen.
Type of transistor | P-MOSFET |
Polarisation | unipolar |
Drain-source voltage | -30V |
Drain current | -2.9A |
Pulsed drain current | -11.6A |
Power dissipation | 1.25W |
Case | SOT23 |
Gate-source voltage | ±20V |
On-state resistance | 0.15Ω |
Mounting | SMD |
Gate charge | 9.8nC |
Kind of package | reel |
Kind of package | tape |
Kind of channel | enhanced |