Tulkot latviski
Transistor: P-MOSFET | unipolar | -20V | -1.3A | Idm: -5.2A | 350mW
Transistor: P-MOSFET | unipolar | -20V | -1.3A | Idm: -5.2A | 350mW
EB Kods: EB965313908
Ražotāja preces kods: PJC7407_R1_00001
Ražotāja preces kods:
PJC7407_R1_00001
Ražotājs, zīmols: PanJit Semiconductor
Ražotājs, zīmols:
PanJit Semiconductor
0,58 €
Ar PVN / gb
Pieejams piegādātāja noliktavā >10 gab.
⛟ Piegāde 1-3 darba dienas pēc apmaksas.
⛟ Piegāde 1-3 darba dienas pēc apmaksas.
Type of transistor | P-MOSFET |
Polarisation | unipolar |
Drain-source voltage | -20V |
Drain current | -1.3A |
Pulsed drain current | -5.2A |
Power dissipation | 0.35W |
Case | SOT323 |
Gate-source voltage | ±12V |
On-state resistance | 0.2Ω |
Mounting | SMD |
Gate charge | 5.4nC |
Kind of package | reel |
Kind of package | tape |
Kind of channel | enhanced |