Tulkot latviski
Transistor: N-MOSFET | unipolar | 100V | 0.7A | 1.3W | DIP4
Transistor: N-MOSFET | unipolar | 100V | 0.7A | 1.3W | DIP4
EB Kods: EB592923360
Ražotāja preces kods: IRLD110PBF
Ražotāja preces kods:
IRLD110PBF
Ražotājs, zīmols: VISHAY
Ražotājs, zīmols:
VISHAY
2,69 €
Ar PVN / gb
Pieejams piegādātāja noliktavā >10 gab.
⛟ Piegāde 1-3 darba dienas pēc apmaksas.
⛟ Piegāde 1-3 darba dienas pēc apmaksas.
Type of transistor | N-MOSFET |
Polarisation | unipolar |
Drain-source voltage | 100V |
Drain current | 0.7A |
Power dissipation | 1.3W |
Case | DIP4 |
Gate-source voltage | ±10V |
On-state resistance | 760mΩ |
Mounting | THT |
Gate charge | 6.1nC |
Kind of channel | enhanced |