Tulkot latviski
Transistor: N-MOSFET | unipolar | 100V | 0.7A | 1.3W | DIP4
Transistor: N-MOSFET | unipolar | 100V | 0.7A | 1.3W | DIP4
EB Kood: EB592923360
Tootja kauba kood: IRLD110PBF
Tootja kauba kood:
IRLD110PBF
Tootja, kaubamärk: VISHAY
Tootja, kaubamärk:
VISHAY
2,71 €
Sisaldab käibemaksu / gb
Saadaval tarnija laos >10 tk
⛟ Tarne 1-3 tööpäeva jooksul pärast makse sooritamist.
⛟ Tarne 1-3 tööpäeva jooksul pärast makse sooritamist.
Type of transistor | N-MOSFET |
Polarisation | unipolar |
Drain-source voltage | 100V |
Drain current | 0.7A |
Power dissipation | 1.3W |
Case | DIP4 |
Gate-source voltage | ±10V |
On-state resistance | 760mΩ |
Mounting | THT |
Gate charge | 6.1nC |
Kind of channel | enhanced |