Tulkot latviski
Transistor: N-MOSFET | SiC | unipolar | 1.7kV | 3.7A | Idm: 15A | 81W
Transistor: N-MOSFET | SiC | unipolar | 1.7kV | 3.7A | Idm: 15A | 81W
EB Kods: EB1436345112
Ražotāja preces kods: S1M1000170D
Ražotāja preces kods:
S1M1000170D
Ražotājs, zīmols: SMC DIODE SOLUTIONS
Ražotājs, zīmols:
SMC DIODE SOLUTIONS
2,94 €
Ar PVN / gb
Pieejams piegādātāja noliktavā >10 gab.
⛟ Piegāde 1-3 darba dienas pēc apmaksas.
⛟ Piegāde 1-3 darba dienas pēc apmaksas.
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Technology | SiC |
| Polarisation | unipolar |
| Drain-source voltage | 1.7kV |
| Drain current | 3.7A |
| Pulsed drain current | 15A |
| Power dissipation | 81W |
| Case | TO247-3 |
| Gate-source voltage | -5...20V |
| On-state resistance | 1.9Ω |
| Mounting | THT |
| Gate charge | 10nC |
| Kind of package | tube |
| Kind of channel | enhancement |