Tulkot latviski
Transistor: N-MOSFET | Hi-PotMOS2 | unipolar | 600V | 30A | Idm: 120A
Transistor: N-MOSFET | Hi-PotMOS2 | unipolar | 600V | 30A | Idm: 120A
EB Kods: EB1947393876
Ražotāja preces kods: P30W60HP2V-5100
Ražotāja preces kods:
P30W60HP2V-5100
Ražotājs, zīmols: SHINDENGEN
Ražotājs, zīmols:
SHINDENGEN
10,84 €
Ar PVN / gb
Pieejams piegādātāja noliktavā >10 gab.
⛟ Piegāde 1-3 darba dienas pēc apmaksas.
⛟ Piegāde 1-3 darba dienas pēc apmaksas.
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Technology | Hi-PotMOS2 |
| Polarisation | unipolar |
| Drain-source voltage | 600V |
| Drain current | 30A |
| Pulsed drain current | 120A |
| Power dissipation | 310W |
| Case | MTO3PV (TO247AD) |
| Gate-source voltage | ±30V |
| On-state resistance | 0.23Ω |
| Mounting | THT |
| Gate charge | 70nC |
| Kind of package | tube |
| Kind of channel | enhanced |