Tulkot latviski
Transistor: N-MOSFET | Hi-PotMOS2 | unipolar | 600V | 30A | Idm: 120A
Transistor: N-MOSFET | Hi-PotMOS2 | unipolar | 600V | 30A | Idm: 120A
EB Kood: EB1947393876
Tootja kauba kood: P30W60HP2V-5100
Tootja kauba kood:
P30W60HP2V-5100
Tootja, kaubamärk: SHINDENGEN
Tootja, kaubamärk:
SHINDENGEN
10,84 €
Sisaldab käibemaksu / gb
Saadaval tarnija laos >10 tk
⛟ Tarne 1-3 tööpäeva jooksul pärast makse sooritamist.
⛟ Tarne 1-3 tööpäeva jooksul pärast makse sooritamist.
Type of transistor | N-MOSFET |
Technology | Hi-PotMOS2 |
Polarisation | unipolar |
Drain-source voltage | 600V |
Drain current | 30A |
Pulsed drain current | 120A |
Power dissipation | 310W |
Case | MTO3PV (TO247AD) |
Gate-source voltage | ±30V |
On-state resistance | 0.23Ω |
Mounting | THT |
Gate charge | 70nC |
Kind of package | tube |
Kind of channel | enhanced |