Tulkot latviski
Transistor: N-MOSFET | unipolar | 60V | 100A | 167W | PG-TO252-3
Transistor: N-MOSFET | unipolar | 60V | 100A | 167W | PG-TO252-3
EB Kods: EB284755424
Ražotāja preces kods: IPD031N06L3GATMA1
Ražotāja preces kods:
IPD031N06L3GATMA1
Ražotājs, zīmols: INFINEON TECHNOLOGIES
Ražotājs, zīmols:
INFINEON TECHNOLOGIES
3,89 €
Ar PVN / gb
Pieejams piegādātāja noliktavā >10 gab.
⛟ Piegāde 1-3 darba dienas pēc apmaksas.
⛟ Piegāde 1-3 darba dienas pēc apmaksas.
Type of transistor | N-MOSFET |
Technology | OptiMOS™ 3 |
Polarisation | unipolar |
Drain-source voltage | 60V |
Drain current | 100A |
Power dissipation | 167W |
Case | PG-TO252-3 |
Gate-source voltage | ±20V |
On-state resistance | 3.1mΩ |
Mounting | SMD |
Kind of channel | enhanced |