Tulkot latviski

Transistor: N-MOSFET | unipolar | 60V | 100A | 167W | PG-TO252-3

EB Kods: EB284755424

Ražotāja preces kods: 
IPD031N06L3GATMA1

Ražotājs, zīmols: 
INFINEON TECHNOLOGIES

2,97 
Ar PVN / gb
Pieejams piegādātāja noliktavā >10 gab.
⛟ Piegāde 1-3 darba dienas pēc apmaksas. 
-+

Type of transistorN-MOSFET
TechnologyOptiMOS™ 3
Polarisationunipolar
Drain-source voltage60V
Drain current100A
Power dissipation167W
CasePG-TO252-3
Gate-source voltage±20V
On-state resistance3.1mΩ
MountingSMD
Kind of channelenhanced