Tulkot latviski

Transistor: N-MOSFET | unipolar | 60V | 100A | 167W | PG-TO252-3

EB Koodi: EB284755424

Valmistajan tuotekoodi: 
IPD031N06L3GATMA1

Valmistaja, merkki: 
INFINEON TECHNOLOGIES

 3,92 € 
Sisältää arvonlisäveron / gb
Toimittajan varastossa >10 kpl
⛟ Toimitus 1-3 työpäivää maksun jälkeen. 
On kysymys?
-+

Product Properties

Type of transistorN-MOSFET
TechnologyOptiMOS™ 3
Polarisationunipolar
Drain-source voltage60V
Drain current100A
Power dissipation167W
CasePG-TO252-3
Gate-source voltage±20V
On-state resistance3.1mΩ
MountingSMD
Kind of channelenhanced