Tulkot latviski
Transistor: N-MOSFET | unipolar | 55V | 80A | 210W | PG-TO263-3
Transistor: N-MOSFET | unipolar | 55V | 80A | 210W | PG-TO263-3
EB Kods: EB1146072593
Ražotāja preces kods: IPB80N06S2L07ATMA3
Ražotāja preces kods:
IPB80N06S2L07ATMA3
Ražotājs, zīmols: INFINEON TECHNOLOGIES
Ražotājs, zīmols:
INFINEON TECHNOLOGIES
3,58 €
Ar PVN / gb
Pieejams piegādātāja noliktavā >10 gab.
⛟ Piegāde 1-3 darba dienas pēc apmaksas.
⛟ Piegāde 1-3 darba dienas pēc apmaksas.
Type of transistor | N-MOSFET |
Technology | OptiMOS™ |
Polarisation | unipolar |
Drain-source voltage | 55V |
Drain current | 80A |
Power dissipation | 210W |
Case | PG-TO263-3 |
Gate-source voltage | ±20V |
On-state resistance | 6.7mΩ |
Mounting | SMD |
Gate charge | 95nC |
Kind of channel | enhanced |