Tulkot latviski
Transistor: N-MOSFET | unipolar | 55V | 80A | 210W | PG-TO263-3
Transistor: N-MOSFET | unipolar | 55V | 80A | 210W | PG-TO263-3
EB Koodi: EB1146072593
Valmistajan tuotekoodi: IPB80N06S2L07ATMA3
Valmistajan tuotekoodi:
IPB80N06S2L07ATMA3
Valmistaja, merkki: INFINEON TECHNOLOGIES
Valmistaja, merkki:
INFINEON TECHNOLOGIES
3,58 €
Sisältää arvonlisäveron / gb
Toimittajan varastossa >10 kpl
⛟ Toimitus 1-3 työpäivää maksun jälkeen.
⛟ Toimitus 1-3 työpäivää maksun jälkeen.
Type of transistor | N-MOSFET |
Technology | OptiMOS™ |
Polarisation | unipolar |
Drain-source voltage | 55V |
Drain current | 80A |
Power dissipation | 210W |
Case | PG-TO263-3 |
Gate-source voltage | ±20V |
On-state resistance | 6.7mΩ |
Mounting | SMD |
Gate charge | 95nC |
Kind of channel | enhanced |