Tulkot latviski
Transistor: N-MOSFET | unipolar | 200V | 88A | 300W | PG-TO263-3
Transistor: N-MOSFET | unipolar | 200V | 88A | 300W | PG-TO263-3
EB Kods: EB130609027
Ražotāja preces kods: IPB107N20NAATMA1
Ražotāja preces kods:
IPB107N20NAATMA1
Ražotājs, zīmols: INFINEON TECHNOLOGIES
Ražotājs, zīmols:
INFINEON TECHNOLOGIES
14,63 €
Ar PVN / gb
Pieejams piegādātāja noliktavā >10 gab.
⛟ Piegāde 1-3 darba dienas pēc apmaksas.
⛟ Piegāde 1-3 darba dienas pēc apmaksas.
Type of transistor | N-MOSFET |
Technology | OptiMOS™ 3 |
Polarisation | unipolar |
Drain-source voltage | 200V |
Drain current | 88A |
Power dissipation | 300W |
Case | PG-TO263-3 |
Gate-source voltage | ±20V |
On-state resistance | 10.7mΩ |
Mounting | SMD |
Kind of channel | enhanced |