Tulkot latviski
Transistor: N-MOSFET | unipolar | 200V | 88A | 300W | PG-TO263-3
Transistor: N-MOSFET | unipolar | 200V | 88A | 300W | PG-TO263-3
EB Koodi: EB130609027
Valmistajan tuotekoodi: IPB107N20NAATMA1
Valmistajan tuotekoodi:
IPB107N20NAATMA1
Valmistaja, merkki: INFINEON TECHNOLOGIES
Valmistaja, merkki:
INFINEON TECHNOLOGIES
10,45 €
Sisältää arvonlisäveron / gb
Toimittajan varastossa >10 kpl
⛟ Toimitus 1-3 työpäivää maksun jälkeen.
⛟ Toimitus 1-3 työpäivää maksun jälkeen.
Type of transistor | N-MOSFET |
Technology | OptiMOS™ 3 |
Polarisation | unipolar |
Drain-source voltage | 200V |
Drain current | 88A |
Power dissipation | 300W |
Case | PG-TO263-3 |
Gate-source voltage | ±20V |
On-state resistance | 10.7mΩ |
Mounting | SMD |
Kind of channel | enhanced |