Tulkot latviski

Transistor: N-MOSFET | TrenchFET® | unipolar | 30V | 12.2A | Idm: 50A

EB Kods: EB2072788647

Ražotāja preces kods: 
SIS406DN-T1-GE3

Ražotājs, zīmols: 
VISHAY

1,14 €
Ar PVN / gb
Pieejams piegādātāja noliktavā >10 gab.
⛟ Piegāde 1-3 darba dienas pēc apmaksas. 
Uzdot jautājumu
-+

Product Properties

Type of transistorN-MOSFET
TechnologyTrenchFET®
Polarisationunipolar
Drain-source voltage30V
Drain current12.2A
Pulsed drain current50A
Power dissipation2.3W
CasePowerPAK® 1212-8
Gate-source voltage±25V
On-state resistance14.5mΩ
MountingSMD
Gate charge28nC
Kind of packagereel
Kind of packagetape
Kind of channelenhanced