Tulkot latviski

Transistor: N-MOSFET | TrenchFET® | unipolar | 20V | 530mA | Idm: 2A

EB Kods: EB367537273

Ražotāja preces kods: 
SI1062X-T1-GE3

Ražotājs, zīmols: 
VISHAY

0,20 €
Ar PVN / gb
Pieejams piegādātāja noliktavā >10 gab.
⛟ Piegāde 1-3 darba dienas pēc apmaksas. 
Uzdot jautājumu
-+

Product Properties

Type of transistorN-MOSFET
TechnologyTrenchFET®
Polarisationunipolar
Drain-source voltage20V
Drain current0.53A
Pulsed drain current2A
Power dissipation0.22W
CaseSC89
CaseSOT563
Gate-source voltage±8V
On-state resistance762mΩ
MountingSMD
Gate charge2.7nC
Kind of packagereel
Kind of packagetape
Kind of channelenhanced