Tulkot latviski
Transistor: N-MOSFET | Trench | unipolar | 80V | 1.2A | Idm: 7.6A | 1.6W
Transistor: N-MOSFET | Trench | unipolar | 80V | 1.2A | Idm: 7.6A | 1.6W
EB Kods: EB1891949769
Ražotāja preces kods: PMPB215ENEA/FX
Ražotāja preces kods:
PMPB215ENEA/FX
Ražotājs, zīmols: NEXPERIA
Ražotājs, zīmols:
NEXPERIA
0,40 €
Ar PVN / gb
Pieejams piegādātāja noliktavā >10 gab.
⛟ Piegāde 1-3 darba dienas pēc apmaksas.
⛟ Piegāde 1-3 darba dienas pēc apmaksas.
Type of transistor | N-MOSFET |
Technology | Trench |
Polarisation | unipolar |
Drain-source voltage | 80V |
Drain current | 1.2A |
Pulsed drain current | 7.6A |
Power dissipation | 1.6W |
Case | DFN2020MD-6 |
Case | SOT1220 |
On-state resistance | 445mΩ |
Mounting | SMD |
Gate charge | 7.2nC |
Kind of package | reel |
Kind of package | tape |
Kind of channel | enhanced |