Tulkot latviski
Transistor: N-MOSFET | Trench | unipolar | 80V | 1.2A | Idm: 7.6A | 1.6W
Transistor: N-MOSFET | Trench | unipolar | 80V | 1.2A | Idm: 7.6A | 1.6W
EB Koodi: EB1891949769
Valmistajan tuotekoodi: PMPB215ENEA/FX
Valmistajan tuotekoodi:
PMPB215ENEA/FX
Valmistaja, merkki: NEXPERIA
Valmistaja, merkki:
NEXPERIA
0,40 €
Sisältää arvonlisäveron / gb
Toimittajan varastossa >10 kpl
⛟ Toimitus 1-3 työpäivää maksun jälkeen.
⛟ Toimitus 1-3 työpäivää maksun jälkeen.
Type of transistor | N-MOSFET |
Technology | Trench |
Polarisation | unipolar |
Drain-source voltage | 80V |
Drain current | 1.2A |
Pulsed drain current | 7.6A |
Power dissipation | 1.6W |
Case | DFN2020MD-6 |
Case | SOT1220 |
On-state resistance | 445mΩ |
Mounting | SMD |
Gate charge | 7.2nC |
Kind of package | reel |
Kind of package | tape |
Kind of channel | enhanced |