Tulkot latviski
Transistor: N-MOSFET x2 | unipolar | 30V | 0.26A | 0.3W | SOT363
Transistor: N-MOSFET x2 | unipolar | 30V | 0.26A | 0.3W | SOT363
EB Kods: EB2508296
Ražotāja preces kods: DMN63D8LDWQ-7
Ražotāja preces kods:
DMN63D8LDWQ-7
Ražotājs, zīmols: DIODES INCORPORATED
Ražotājs, zīmols:
DIODES INCORPORATED
0,30 €
Ar PVN / gb
Pieejams piegādātāja noliktavā >10 gab.
⛟ Piegāde 1-3 darba dienas pēc apmaksas.
⛟ Piegāde 1-3 darba dienas pēc apmaksas.
Type of transistor | N-MOSFET x2 |
Polarisation | unipolar |
Drain-source voltage | 30V |
Drain current | 0.26A |
Power dissipation | 0.3W |
Case | SOT363 |
Gate-source voltage | ±20V |
On-state resistance | 2.8Ω |
Mounting | SMD |
Kind of package | reel |
Kind of package | tape |
Kind of channel | enhanced |
Application | automotive industry |
Version | ESD |