Tulkot latviski

Transistor: N-MOSFET x2 | unipolar | 30V | 0.26A | 0.3W | SOT363

EB Koodi: EB2508296

Valmistajan tuotekoodi: 
DMN63D8LDWQ-7

Valmistaja, merkki: 
DIODES INCORPORATED

0,23 €
Sisältää arvonlisäveron / gb
Toimittajan varastossa >10 kpl
⛟ Toimitus 1-3 työpäivää maksun jälkeen. 
On kysymys?
-+

Product Properties

Type of transistorN-MOSFET x2
Polarisationunipolar
Drain-source voltage30V
Drain current0.26A
Power dissipation0.3W
CaseSOT363
Gate-source voltage±20V
On-state resistance2.8Ω
MountingSMD
Kind of packagereel
Kind of packagetape
Kind of channelenhanced
Features of semiconductor devicesESD protected gate