Tulkot latviski

Transistor: N-MOSFET x2 | unipolar | 100V | 8.5A | Idm: 34A | 3.1W | SOP8

EB Kods: EB209744246

Ražotāja preces kods: 
WMS175DN10LG4

Ražotājs, zīmols: 
WAYON

 0,89 € 
Bez PVN / gb
Pieejams piegādātāja noliktavā >10 gab.
⛟ Piegāde 1-3 darba dienas pēc apmaksas. 
Uzdot jautājumu
-+

Product Properties

Type of transistorN-MOSFET x2
Polarisationunipolar
Drain-source voltage100V
Drain current8.5A
Pulsed drain current34A
Power dissipation3.1W
CaseSOP8
Gate-source voltage±20V
On-state resistance21mΩ
MountingSMD
Gate charge22.5nC
Kind of packagereel
Kind of packagetape
Kind of channelenhancement