Tulkot latviski

Transistor: N-MOSFET x2 | unipolar | 100V | 8.5A | Idm: 34A | 3.1W | SOP8

EB Koodi: EB209744246

Valmistajan tuotekoodi: 
WMS175DN10LG4

Valmistaja, merkki: 
WAYON

 1,08 € 
Sisältää arvonlisäveron / gb
Toimittajan varastossa >10 kpl
⛟ Toimitus 1-3 työpäivää maksun jälkeen. 
On kysymys?
-+

Product Properties

Type of transistorN-MOSFET x2
Polarisationunipolar
Drain-source voltage100V
Drain current8.5A
Pulsed drain current34A
Power dissipation3.1W
CaseSOP8
Gate-source voltage±20V
On-state resistance21mΩ
MountingSMD
Gate charge22.5nC
Kind of packagereel
Kind of packagetape
Kind of channelenhancement