Tulkot latviski
Module: IGBT | single transistor | Urmax: 1.7kV | Ic: 21A | SOT227B
Module: IGBT | single transistor | Urmax: 1.7kV | Ic: 21A | SOT227B
EB Kods: EB285780516
Ražotāja preces kods: IXBN42N170A
Ražotāja preces kods:
IXBN42N170A
Ražotājs, zīmols: IXYS
Ražotājs, zīmols:
IXYS
50,56 €
Ar PVN / gb
Pieejams piegādātāja noliktavā 4 gab.
⛟ Piegāde 1-3 darba dienas pēc apmaksas.
⛟ Piegāde 1-3 darba dienas pēc apmaksas.
Type of module | IGBT |
Semiconductor structure | single transistor |
Max. off-state voltage | 1.7kV |
Collector current | 21A |
Case | SOT227B |
Electrical mounting | screw |
Gate-emitter voltage | ±20V |
Pulsed collector current | 265A |
Power dissipation | 313W |
Technology | BiMOSFET™ |
Features of semiconductor devices | high voltage |
Mechanical mounting | screw |