Tulkot latviski
Diode: Schottky rectifying | SiC | THT | 1.2kV | 20A | TO247-2 | Ir: 40uA
Diode: Schottky rectifying | SiC | THT | 1.2kV | 20A | TO247-2 | Ir: 40uA
EB Kods: EB1055141079
Ražotāja preces kods: B2D20120H1
Ražotāja preces kods:
B2D20120H1
Ražotājs, zīmols: BASiC SEMICONDUCTOR
Ražotājs, zīmols:
BASiC SEMICONDUCTOR
8,17 €
Ar PVN / gb
Pieejams piegādātāja noliktavā >10 gab.
⛟ Piegāde 1-3 darba dienas pēc apmaksas.
⛟ Piegāde 1-3 darba dienas pēc apmaksas.
Type of diode | Schottky rectifying |
Technology | SiC |
Mounting | THT |
Max. off-state voltage | 1.2kV |
Load current | 20A |
Semiconductor structure | single diode |
Case | TO247-2 |
Max. forward voltage | 1.78V |
Max. forward impulse current | 190A |
Leakage current | 40µA |
Power dissipation | 159W |
Kind of package | tube |