Tulkot latviski
Diode: Schottky rectifying | SiC | THT | 1.2kV | 20A | TO247-2 | Ir: 40uA
Diode: Schottky rectifying | SiC | THT | 1.2kV | 20A | TO247-2 | Ir: 40uA
EB Koodi: EB1055141079
Valmistajan tuotekoodi: B2D20120H1
Valmistajan tuotekoodi:
B2D20120H1
Valmistaja, merkki: BASiC SEMICONDUCTOR
Valmistaja, merkki:
BASiC SEMICONDUCTOR
8,17 €
Sisältää arvonlisäveron / gb
Toimittajan varastossa >10 kpl
⛟ Toimitus 1-3 työpäivää maksun jälkeen.
⛟ Toimitus 1-3 työpäivää maksun jälkeen.
Type of diode | Schottky rectifying |
Technology | SiC |
Mounting | THT |
Max. off-state voltage | 1.2kV |
Load current | 20A |
Semiconductor structure | single diode |
Case | TO247-2 |
Max. forward voltage | 1.78V |
Max. forward impulse current | 190A |
Leakage current | 40µA |
Power dissipation | 159W |
Kind of package | tube |