Tulkot latviski
Transistor: IGBT | 1.2kV | 35A | 230W | TO3PN
Transistor: IGBT | 1.2kV | 35A | 230W | TO3PN
EB Koodi: EB1486966665
Valmistajan tuotekoodi: GT40QR21(STA1,E,D
Valmistajan tuotekoodi:
GT40QR21(STA1,E,D
Valmistaja, merkki: TOSHIBA
Valmistaja, merkki:
TOSHIBA
5,37 €
Sisältää arvonlisäveron / gb
Toimittajan varastossa >10 kpl
⛟ Toimitus 1-3 työpäivää maksun jälkeen.
⛟ Toimitus 1-3 työpäivää maksun jälkeen.
Type of transistor | IGBT |
Collector-emitter voltage | 1.2kV |
Collector current | 35A |
Power dissipation | 230W |
Case | TO3PN |
Gate-emitter voltage | ±25V |
Pulsed collector current | 80A |
Mounting | THT |
Kind of package | tube |
Turn-on time | 0.3µs |
Turn-off time | 0.6µs |
Features of semiconductor devices | integrated anti-parallel diode |