Tulkot latviski

Transistor: N-MOSFET | SiC | unipolar | 1.2kV | 16A | Idm: 40A | 123W

EB Koodi: EB2039212209

Valmistajan tuotekoodi: 
G3R160MT12D

Valmistaja, merkki: 
GeneSiC SEMICONDUCTOR

 12,71 € 
Sisältää arvonlisäveron / gb
Toimittajan varastossa >10 kpl
⛟ Toimitus 1-3 työpäivää maksun jälkeen. 
On kysymys?
-+

Product Properties

Type of transistorN-MOSFET
TechnologyG3R™
TechnologySiC
Polarisationunipolar
Drain-source voltage1.2kV
Drain current16A
Pulsed drain current40A
Power dissipation123W
CaseTO247-3
Gate-source voltage-5...15V
On-state resistance0.16Ω
MountingTHT
Gate charge28nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhanced