Tulkot latviski
Module: IGBT | diode/transistor | boost chopper | Urmax: 650V | Ic: 10A
Module: IGBT | diode/transistor | boost chopper | Urmax: 650V | Ic: 10A
EB Koodi: EB1296616850
Valmistajan tuotekoodi: GD10PJX65F1S
Valmistajan tuotekoodi:
GD10PJX65F1S
Valmistaja, merkki: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Valmistaja, merkki:
STARPOWER SEMICONDUCTOR
35,95 €
Sisältää arvonlisäveron / gb
Toimittajan varastossa >10 kpl
⛟ Toimitus 1-3 työpäivää maksun jälkeen.
⛟ Toimitus 1-3 työpäivää maksun jälkeen.
| Type of module | IGBT |
| Semiconductor structure | diode/transistor |
| Topology | boost chopper |
| Topology | IGBT three-phase bridge OE output |
| Topology | NTC thermistor |
| Topology | three-phase diode bridge |
| Max. off-state voltage | 650V |
| Collector current | 10A |
| Case | F1.1 |
| Electrical mounting | Press-in PCB |
| Gate-emitter voltage | ±20V |
| Pulsed collector current | 20A |
| Technology | Trench FS IGBT |
| Mechanical mounting | screw |