Tulkot latviski
Transistor: N-MOSFET | SiC | unipolar | 1.2kV | 29A | Idm: 80A | 207W
Transistor: N-MOSFET | SiC | unipolar | 1.2kV | 29A | Idm: 80A | 207W
EB Koodi: EB1686780942
Valmistajan tuotekoodi: G3R75MT12D
Valmistajan tuotekoodi:
G3R75MT12D
Valmistaja, merkki: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Valmistaja, merkki:
GeneSiC SEMICONDUCTOR
18,77 €
Sisältää arvonlisäveron / gb
Toimittajan varastossa >10 kpl
⛟ Toimitus 1-3 työpäivää maksun jälkeen.
⛟ Toimitus 1-3 työpäivää maksun jälkeen.
Type of transistor | N-MOSFET |
Technology | G3R™ |
Technology | SiC |
Polarisation | unipolar |
Drain-source voltage | 1.2kV |
Drain current | 29A |
Pulsed drain current | 80A |
Power dissipation | 207W |
Case | TO247-3 |
Gate-source voltage | -5...15V |
On-state resistance | 75mΩ |
Mounting | THT |
Gate charge | 54nC |
Kind of package | tube |
Kind of channel | enhanced |