Tulkot latviski

Transistor: N-MOSFET | unipolar | 100V | 4.7A | Idm: 30A | 7.5W | TO252

EB Koodi: EB596828826

Valmistajan tuotekoodi: 
DMN10H220LK3-13

Valmistaja, merkki: 
DIODES INCORPORATED

0,60 €
Sisältää arvonlisäveron / gb
Toimittajan varastossa >10 kpl
⛟ Toimitus 1-3 työpäivää maksun jälkeen. 
On kysymys?
-+

Product Properties

Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage100V
Drain current4.7A
Pulsed drain current30A
Power dissipation7.5W
CaseTO252
Gate-source voltage±20V
On-state resistance0.25Ω
MountingSMD
Gate charge6.7nC
Kind of packagereel
Kind of packagetape
Kind of channelenhanced