Tulkot latviski

Transistor: N/P-MOSFET | TrenchFET® | unipolar | complementary pair

EB Koodi: EB768045946

Valmistajan tuotekoodi: 
SI1016CX-T1-GE3

Valmistaja, merkki: 
VISHAY

0,62 
Sisältää arvonlisäveron / gb
Toimittajan varastossa >10 kpl
⛟ Toimitus 1-3 työpäivää maksun jälkeen. 
-+

Type of transistorN/P-MOSFET
TechnologyTrenchFET®
Polarisationunipolar
Kind of transistorcomplementary pair
Drain-source voltage20/-20V
Drain current0.49/-0.49A
Pulsed drain current2A
Power dissipation0.14W
CaseSC89
CaseSOT563
Gate-source voltage±8V
On-state resistance396/756mΩ
MountingSMD
Gate charge2/2.5nC
Kind of packagereel
Kind of packagetape
Kind of channelenhanced
Features of semiconductor devicesESD protected gate