Tulkot latviski
Transistor: N-MOSFET | SiC | unipolar | 1.2kV | 100A | Idm: 260A | 600W
Transistor: N-MOSFET | SiC | unipolar | 1.2kV | 100A | Idm: 260A | 600W
EB Код: EB1129940394
Код товара производителя: DIW120SIC023-AQ
Код товара производителя:
DIW120SIC023-AQ
Производитель, бренд: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Производитель, бренд:
DIOTEC SEMICONDUCTOR
101,09 €
НДС включен / gb
Ha складе поставщика >10 шт.
⛟ Доставка через 1-3 рабочих дня после оплаты.
⛟ Доставка через 1-3 рабочих дня после оплаты.
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Technology | SiC |
| Polarisation | unipolar |
| Drain-source voltage | 1.2kV |
| Drain current | 100A |
| Pulsed drain current | 260A |
| Power dissipation | 600W |
| Case | TO247-3 |
| Gate-source voltage | -4...18V |
| On-state resistance | 29mΩ |
| Mounting | THT |
| Gate charge | 45nC |
| Kind of package | tube |
| Kind of channel | enhanced |
| Application | automotive industry |