Tulkot latviski
Transistor: N-MOSFET | SiC | unipolar | 1.2kV | 15A | Idm: 66A | 153W
Transistor: N-MOSFET | SiC | unipolar | 1.2kV | 15A | Idm: 66A | 153W
EB Код: EB129557345
Код товара производителя: S2M0120120J
Код товара производителя:
S2M0120120J
Производитель, бренд: SMC DIODE SOLUTIONS
Производитель, бренд:
SMC DIODE SOLUTIONS
6,36 €
НДС включен / gb
Ha складе поставщика >10 шт.
⛟ Доставка через 1-3 рабочих дня после оплаты.
⛟ Доставка через 1-3 рабочих дня после оплаты.
Type of transistor | N-MOSFET |
Technology | SiC |
Polarisation | unipolar |
Drain-source voltage | 1.2kV |
Drain current | 15A |
Pulsed drain current | 66A |
Power dissipation | 153W |
Case | D2PAK-7 |
Gate-source voltage | -5...20V |
On-state resistance | 212mΩ |
Mounting | SMD |
Gate charge | 29.6nC |
Kind of package | tube |
Kind of channel | enhancement |
Features of semiconductor devices | Kelvin terminal |