Tulkot latviski
Transistor: N-MOSFET | SiC | unipolar | 1.2kV | 12A | Idm: 40A | 130W
Transistor: N-MOSFET | SiC | unipolar | 1.2kV | 12A | Idm: 40A | 130W
EB Код: EB638476015
Код товара производителя: S2M0160120K
Код товара производителя:
S2M0160120K
Производитель, бренд: SMC DIODE SOLUTIONS
Производитель, бренд:
SMC DIODE SOLUTIONS
4,49 €
НДС включен / gb
Ha складе поставщика >10 шт.
⛟ Доставка через 1-3 рабочих дня после оплаты.
⛟ Доставка через 1-3 рабочих дня после оплаты.
Type of transistor | N-MOSFET |
Technology | SiC |
Polarisation | unipolar |
Drain-source voltage | 1.2kV |
Drain current | 12A |
Pulsed drain current | 40A |
Power dissipation | 130W |
Case | TO247-4 |
Gate-source voltage | -5...20V |
On-state resistance | 0.3Ω |
Mounting | THT |
Gate charge | 26.5nC |
Kind of package | tube |
Kind of channel | enhancement |
Features of semiconductor devices | Kelvin terminal |