Tulkot latviski
Transistor: N-MOSFET x2 | TrenchFET® | unipolar | 30V | 610mA | Idm: 2A
Transistor: N-MOSFET x2 | TrenchFET® | unipolar | 30V | 610mA | Idm: 2A
EB Код: EB834840286
Код товара производителя: SI1036X-T1-GE3
Код товара производителя:
SI1036X-T1-GE3
Производитель, бренд: VISHAY
Производитель, бренд:
VISHAY
0,53 €
НДС включен / gb
Ha складе поставщика >10 шт.
⛟ Доставка через 1-3 рабочих дня после оплаты.
⛟ Доставка через 1-3 рабочих дня после оплаты.
Type of transistor | N-MOSFET x2 |
Technology | TrenchFET® |
Polarisation | unipolar |
Drain-source voltage | 30V |
Drain current | 610mA |
Pulsed drain current | 2A |
Power dissipation | 0.22W |
Case | SC89 |
Case | SOT563 |
Gate-source voltage | ±8V |
On-state resistance | 1.1Ω |
Mounting | SMD |
Gate charge | 2nC |
Kind of package | reel |
Kind of package | tape |
Kind of channel | enhanced |